檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "應用科技研究所".dept (精準) and ckeyword.raw="化學氣相傳導法"
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中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical vapor transport method, CVT) 成長硫化鎵晶體，目前成功成長出Ga2S3晶體，之後進行晶體結構與光學特性分析。藉由能量散佈儀 …
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本論文利用化學氣相傳導法成長二硫化鉛錫(PbSnS2)及三硫化鋯(ZrS3)晶體，並對晶體進行結構分析、光學及電學特性研究及探討。透過能量色散X射線光譜儀確認元素成分比例與理想值符合，接著使用X-r…
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport, CVT)並以碘(I2)作為傳導劑，成長硒化鍺(GeSe)與碲化鎵(GaTe)層狀半導體。針對此晶體進行能量散射光譜儀…
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本論文將研究高導電度硫屬化合物之傳輸特性，首先，我們使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport，CVT）並以碘作為傳導劑成長二硫化鈦(TiS2)與二硒化鈦(TiSe…
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本論文利用化學氣相傳導法（Chemical Vapor Transport, CVT）成長過渡金屬二硫屬化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs）之二硒化…
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本論文利用化學氣相傳導法成功生長三硫化磷鐵和三硒化磷鐵晶體，皆為單晶層狀反鐵磁性材料，樣品表面呈金屬亮面且容易撕薄。首先利用能量散佈光譜儀確認晶體的成分比例為1:1:3與X射線光電子能譜儀確認所含之…